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J-GLOBAL ID：200903014525775654

高分子イオン交換薄膜とその製造方法

Inventor： 秋田 靖浩 ,  田坂 佳之 ,  森賀 卓也
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001116264
Publication number (International publication number)：2002313365
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 薄膜で、電池組立時のハンドリングに優れた柔軟性を有し、イオン伝導度が高く、さらに水素透過の少ないイオン交換膜を安価な手法で提供する。【解決手段】 パーフルオロカーボンスルホン酸高分子イオン交換膜をホットプレスする工程を含む高分子イオン交換薄膜の製造方法によって得られる膜厚60μm以下、破断点ひずみ180%以上、膜抵抗0.16S/cm以下、80°Cにおける膜の水素透過係数が1.3×10-8〜1.5×10-8cm3(STP)・cm/cm2・sec・cmHgの範囲であるプロトン伝導性を有する高分子イオン交換薄膜。

Claim (excerpt)：

プロトン伝導性を有する高分子イオン交換膜をホットプレスする工程を含む高分子イオン交換薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01M 8/02 ,  H01M 8/10

FI (2)：

H01M 8/02 P ,  H01M 8/10

F-Term (8)：

5H026AA06 ,  5H026BB02 ,  5H026CX05 ,  5H026EE19 ,  5H026HH00 ,  5H026HH03 ,  5H026HH06 ,  5H026HH08