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J-GLOBAL ID：200903014526662608

窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板

Inventor： 柴田 真佐知 ,  黒田 尚孝
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088294
Publication number (International publication number)：2002284600
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】 簡便な方法で、低欠陥密度で不純物汚染の少ない窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板を提供する。【解決手段】 単結晶のサファイア基板、サファイア基板上に単結晶の窒化ガリウム膜を成長させた基板、単結晶の半導体結晶基板のいずれかからなる出発基板1上に金属膜2を堆積させ、金属膜2の上に窒化ガリウム膜4を堆積させた積層基板5を形成することにより、成長後の窒化ガリウム膜4と出発基板1との剥離が容易になる。

Claim (excerpt)：

単結晶のサファイア基板、サファイア基板上に単結晶の窒化ガリウム膜を成長させた基板、単結晶の半導体結晶基板のいずれかからなる出発基板上に金属膜を堆積させる工程と、該金属膜上に窒化ガリウム膜を堆積させる工程と、該窒化ガリウム膜を堆積させた積層基板から上記出発基板を除去し、自立した窒化ガリウムの結晶基板を得る工程とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム結晶基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (43)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045EB15 ,  5F045GB11 ,  5F045GH08 ,  5F045HA14 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN系半導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-340691   Applicant：豊田合成株式会社
• GaN系結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-188776   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開昭59-057997