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J-GLOBAL ID:200903014529965393

多結晶シリコンおよび塩化亜鉛の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 道雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997169127
Publication number (International publication number):1999011925
Application date: Jun. 25, 1997
Publication date: Jan. 19, 1999
Summary:
【要約】【課題】太陽電池用として品質的に安定し、低価格化に対応した多結晶シリコンおよび塩化亜鉛を同時に製造する方法を提供する。【解決手段】(1)液体または気体状態の四塩化珪素を溶融亜鉛で還元し、生成した多結晶シリコンと塩化亜鉛を含有する混合物を反応容器5外に取り出し、前記混合物を分離容器10に収容し、混合物中の塩化亜鉛と多結晶シリコンとを分離してのち、両者を分離容器から回収することを特徴とする多結晶シリコンおよび塩化亜鉛の製造方法。上記四塩化珪素の還元は、溶融亜鉛が存在する反応容器内に液体または気体状態の四塩化珪素を導入して行われるようにするのが望ましい。(2)上記(1)のうち多結晶シリコンの製造方法であって、副生成する塩化亜鉛を混合物から分離ののち、電気分解して金属亜鉛と塩素を回収し、回収された金属亜鉛を再び前記四塩化珪素の還元剤として用い、または/および回収された塩素を前工程として設けられる金属シリコンの塩化処理に用いることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
Claim (excerpt):
反応容器内で液体または気体状態の四塩化珪素を溶融亜鉛で還元し、生成した多結晶シリコンと塩化亜鉛とを含有する混合物を反応容器外に取り出し、前記混合物を分離容器に収容し、混合物中の塩化亜鉛を分離してのち、多結晶シリコンを分離容器から回収することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
IPC (4):
C01B 33/02 ,  C01B 33/023 ,  C01G 9/04 ,  C30B 29/06
FI (4):
C01B 33/02 E ,  C01B 33/023 ,  C01G 9/04 ,  C30B 29/06 D
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開昭54-084824
  • 特公昭36-019254
  • 特開昭56-009383

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