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J-GLOBAL ID：200903014573299830
X線露光用マスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
市之瀬 宮夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994047876
Publication number (International publication number)：1995235482
Application date： Feb. 22, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：
【要約】【目的】 製造プロセスに起因するパターン位置変位が小さく、位置精度および平面度の高いX線露光用マスクの製造方法を提供する。【構成】 少なくともX線吸収性パターンと、該X線吸収性パターンを保持するX線透過性薄膜と、該X線透過性薄膜の外周を固定する支持枠体とを有するX線露光用マスクの製造方法であって、前記X線透過性薄膜の中心すなわちX線露光用マスクの中心からrの距離に最終的に前記x線吸収性パターンを形成するために、支持基板のエッチングによる前記支持枠体の形成の後に前記X線透過性薄膜の内部応力によってX線吸収性パターンが変位する分だけあらかじめ補正した位置にX線吸収性パターンを形成しておく。
Claim (excerpt)：
少なくともX線吸収性パターンと、該X線吸収性パターンを保持するX線透過性薄膜と、該X線透過性薄膜の外周を固定する支持枠体とを有するX線露光用マスクの製造方法において、前記X線透過性薄膜の中心すなわちX線露光用マスクの中心からrの距離に最終的に前記X線吸収性パターンを形成するために、支持基板のエッチングによる前記支持枠体の形成の後に前記X線透過性薄膜の内部応力によってX線吸収性パターンが変位する分だけあらかじめ補正した位置にX線吸収性パターンを形成しておくことを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。
IPC (2)：
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