Pat
J-GLOBAL ID:200903014575488630
磁気抵抗素子および磁場強度測定法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991307673
Publication number (International publication number):1993145143
Application date: Nov. 22, 1991
Publication date: Jun. 11, 1993
Summary:
【要約】【目的】 S/N比の高い磁気抵抗素子を提供する。【構成】 磁気抵抗素子は、一対の電極4を両端に有する導体2表面に軟磁性体1が直接設けられている。
Claim (excerpt):
一対の電極を両端に有する導体表面に、軟磁性体が直接設けられていることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭63-308394
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特開平1-152677
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特開平1-019512
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