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J-GLOBAL ID：200903014576738605

低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板

Inventor： 松崎 洋市 ,  野上 敦嗣 ,  山田 紀子 ,  片山 真吾
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997177261
Publication number (International publication number)：1999026444
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 LSI用層間絶縁膜、IC基板などに利用される、比誘電率が3.0未満の低誘電率材料を提供する。【解決手段】 -O-M-(MはB、Al、Si、Ti、Ge、Y、Zr、Nb、Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)をユニットとする主鎖を有する高分子材料において、主たる末端の化学構造を、-O-MR1 R2 ...Rn-1 (R1 、R2 、...、Rn-1 は末端基で、nは元素Mの原子価)とし、そのMR1 ...Rn-1 部分の全結合原子対を電気陰性度の差0.7以下とする。

Claim (excerpt)：

-O-M-(MはB、Al、Si、Ti、Ge、Y、Zr、Nb、Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)をユニットとする主鎖を有する高分子材料において、主たる末端の化学構造が、-O-MR1 R2 ...Rn-1 (R1 、R2 、...、Rn-1 は末端基で、nは元素Mの原子価)であり、MR1...Rn-1 部分の全結合原子対が電気陰性度の差0.7以下であることを特徴とする低誘電率材料。

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C08G 77/16 ,  H01B 3/10 ,  H01L 21/768 ,  H05K 1/03 610

FI (5)：

H01L 21/312 C ,  C08G 77/16 ,  H01B 3/10 ,  H05K 1/03 610 G ,  H01L 21/90 S