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J-GLOBAL ID:200903014577148240

半導体装置およびその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992023731
Publication number (International publication number):1993226387
Application date: Feb. 10, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 リードフレームのダイパッド部に半導体チップをダイボンディングし、ワイヤボンディング後これらを樹脂で封入成形してなる半導体装置で、ダイボンディングの工数を削減すると共に、ダイボンディング時に熱ストレスなどが発生して半導体特性に悪影響を与えない半導体装置およびその製法を提供する。【構成】 リードフレームのダイパッド部8と半導体チップ4の接着を両面接着テープ2で行う。その製法としては、半導体ウエハの状態で両面接着テープ2を介してエキスパンドテープに貼付し、半導体ウエハのダイシング時に両面接着テープも同時に切断し、ダイボンディングの際半導体チップ4の裏面に両面接着テープ2が貼付された状態でダイパッド部8にボンディングする。
Claim (excerpt):
リードフレームのダイパッド部に半導体チップがダイボンディングされ、該半導体チップおよびその周囲のリードとの電気的接続部が樹脂で封入成形されてなる半導体装置であって、前記半導体チップのダイボンディングが両面接着テープでなされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/52 ,  H01L 21/78
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭60-102751
  • 特開平2-044751

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