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J-GLOBAL ID：200903014581690211

ガスセンサ

Inventor： 高津 一郎
Applicant, Patent owner： エヌオーケー株式会社
Agent (1)： 吉田 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992110766
Publication number (International publication number)：1993281177
Application date： Apr. 03, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ガス感応膜として金属酸化物半導体薄膜を用いたガスセンサであって、吸着水分量をモニターし、初期値を補正することが容易なものを提供する。【構成】 絶縁性薄膜で被覆された水晶振動子の一方の面側に1組の対向電極および金属酸化物半導体ガス感応膜を順次形成させ、他方の面側に加熱用薄膜ヒータを形成させたガスセンサ。

Claim (excerpt)：

絶縁性薄膜で被覆された水晶振動子の一方の面側に1組の対向電極および金属酸化物半導体ガス感応膜を順次形成させ、他方の面側に加熱用薄膜ヒータを形成させてなるガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G01N 5/02