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J-GLOBAL ID：200903014585680652

半導体レーザ素子

Inventor： 中塚 慎一 ,  後藤 順
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025068
Publication number (International publication number)：1995235723
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 特性および信頼性の良好な青から緑色領域の光を放射する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 II-VI族半導体レーザにおいてはクラッド層中にpクラッドの場合はTe系、nクラッドの場合はS系の材料を多く含むキャリア障壁層を設ける。III-V族半導体レーザにおいてはpクラッドに例えばB及びPを含む層を設ける。【効果】 低しきい値で動作し、信頼度の高い青緑色半導体レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層よりなる活性層を該活性層より大きな禁制帯幅を持ち互いに反対の導電型を有する第2及び第3の半導体層よりなるクラッド層で挾むことにより形成され、通電により光利得を得る構造を有する半導体レーザ素子であって、上記第2または第3の半導体層の少なくとも一方にこれらの半導体層の主たる荷電粒子が存在するバンドと反対側のバンドにのみ該反対側のバンド中の荷電粒子の運動を妨げるエネルギ障壁を形成する半導体層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。