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J-GLOBAL ID：200903014595424662

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 遠藤 守
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000026611
Publication number (International publication number)：2001217244
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 AlとTiの反応を抑えることにより、少なくともAlを含む配線中のAl-Ti反応層の割合を小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜5に形成された配線用溝5aと、この配線用溝5aの底部に形成された互いに結晶方位の異なる2層のTiN層12と、この2層のTiN層12の上に形成され、上記配線用溝5aの内部に埋め込まれたAl合金配線15aと、を具備するものである。

Claim (excerpt)：

絶縁膜に形成された溝又は穴と、この溝又は穴の底部に形成された互いに結晶方位の異なる2層のTiN層と、この2層のTiN層の上に形成され、上記溝又は穴の内部に埋め込まれた少なくともAlを含む配線と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

F-Term (31)：

4M104BB14 ,  4M104BB37 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033LL06 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033SS11 ,  5F033XX28