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J-GLOBAL ID:200903014603986128

フォトマスクの修正方法及び修正装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001398182
Publication number (International publication number):2003195481
Application date: Dec. 27, 2001
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去し、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現する。【解決手段】 電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域75に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、被エッチング領域75に照射する電子ビームは、フォトマスクの反転パターンに相当するキャラクタアパーチャと欠陥部分の位置を含む矩形アパーチャとの組合せにより作られる合成図形であり、被エッチング領域75に対して一括の電子照射を行う。
Claim (excerpt):
電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、前記被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム成形用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に投影露光される成形ビームであって、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう照射されることを特徴とするフォトマスクの修正方法。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 V ,  H01J 37/305 A ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (5):
2H095BD32 ,  2H095BD36 ,  5C034BB04 ,  5C034BB05 ,  5C034BB07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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