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J-GLOBAL ID：200903014604630742

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 佐藤 英紀 ,  安藤 敏夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012945
Publication number (International publication number)：1998209266
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 TEOSガスとオゾンガスとを含む混合ガスを使用して酸化シリコン膜を形成する際に、下地に影響されない、高性能な酸化シリコン膜とすることができる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離用絶縁膜としての酸化シリコン膜7aは、TEOSガスとオゾンガスとTMPガスまたはTMBガスとの混合ガスを用いて形成されており、その酸化シリコン膜7aには、微量なn型の不純物または微量なp型の不純物が含有されている。

Claim (excerpt)：

基板上に酸化シリコン膜からなる絶縁膜を有する半導体集積回路装置であって、前記酸化シリコン膜は、TEOSガスとオゾンガスとを含む混合ガスを用いて形成されており、前記酸化シリコン膜には、微量なn型の不純物または微量なp型の不純物が含有されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/316 X