プラズマCVD装置及び薄膜電子デバイス製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998239661
Publication number (International publication number)：2000073174
Application date： Aug. 26, 1998
Publication date： Mar. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマ制御が可能で膜質劣化もなく大面積化を図るようにしたプラズマCVD装置及び薄膜電子デバイス製造方法を提供する。【解決手段】真空容器1内のプラズマ生成電極を、高周波電力が供給される導体棒4Sと接地された導体棒4Gとが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子型電極としたものである。

Claim (excerpt)：

ガス導入系と排気系とが連通された真空容器内に、高周波電力供給手段に接続された電極とこの電極と対向して配置された基板とを有するプラズマCVD装置において、上記電極は、高周波電力が供給される導体棒と接地された導体棒とが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子型電極である、ことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/509 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/50 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

F-Term (26)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045CA16 , 5F045DP04 , 5F045DP05 , 5F045DP25 , 5F045EF04 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH12 , 5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-181513
特開昭58-145100
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-156968 Applicant：アネルバ株式会社

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