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J-GLOBAL ID：200903014610909295

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998355187
Publication number (International publication number)：2000183462
Application date： Dec. 14, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レーザ素子内の転位や微細なクラックを低減させ、しきい値をより低下させ、より一層良好な寿命特性を有する窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層が順に積層されてリッジ形状のストライプを有し、基板が、窒化物半導体と異なる異種基板と、該異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないか又は成長しにくい材料からなる保護膜を形成した後に、窒化物半導体を選択成長させてなる窒化物半導体1とからなり、n型窒化物半導体層が、前記基板上に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなるn型コンタクト層2を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層が順に積層されてリッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子において、基板が、窒化物半導体と異なる異種基板と、該異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないか又は成長しにくい材料からなる保護膜を形成した後に、窒化物半導体を選択成長させてなる窒化物半導体とからなり、n型窒化物半導体層が、前記基板上に、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0<a<1)からなるn型コンタクト層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
F-Term (13)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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