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J-GLOBAL ID：200903014626638453

単結晶SiCの液相育成方法

Inventor： 山田 益三 ,  谷野 吉弥 ,  平本 雅信
Applicant, Patent owner： 日本ピラー工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058254
Publication number (International publication number)：2000256091
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥や結晶欠陥等の発生が少ないとともに、Si塊の封じ込みによる多結晶化もなく、非常に高品質高性能で、かつ、バルク状の単結晶SiCを効率よく育成できるようにする。【解決手段】 C原子を含む坩堝1内の底部に種結晶となるα-SiC単結晶基板5を配置し、このα-SiC単結晶基板5の上面を覆うようにSiO2 粉末6を充填するとともに、さらにその上部にSiO2 粉末とSiC粉末の混合粉末7を充填した状態で、底部側が低温となるように上下の温度差を保ちながら不活性雰囲気中で加熱し両粉末を分解させて得られるC原子を過剰に含むSi融液中にSiC単結晶基板5を所定時間に亘り浸漬保持させることにより、SiC単結晶基板5の表面に単結晶を育成させる。

Claim (excerpt)：

少なくとも炭素(C)原子を含む坩堝内の底部に種結晶となる炭化珪素(SiC)単結晶基板を配置し、このSiC単結晶基板の上面を覆うように坩堝内に二酸化珪素(SiO2 )粉末を充填するとともに、さらにその上部にSiO2 粉末とSiC粉末の混合粉末を充填した状態で、底部側が低温となるように上下の温度差を保ちながら不活性雰囲気中で加熱して両粉末を溶解させ、その融液中に上記SiC単結晶基板を所定時間に亘り浸漬保持させることにより、SiC単結晶基板の表面に単結晶を育成させることを特徴とする単結晶SiCの液相育成方法。

IPC (3)：

C30B 11/08 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 11/08 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/208 Z

F-Term (22)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG02 ,  4G077EH07 ,  4G077HA12 ,  5F053AA32 ,  5F053AA33 ,  5F053BB04 ,  5F053BB12 ,  5F053BB15 ,  5F053BB24 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL10 ,  5F053RR03