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J-GLOBAL ID：200903014643466518

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
岩本 隆

About 岩本 隆


Applicant, Patent owner：
日本ビクター株式会社

About 日本ビクター株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003402645
Publication number (International publication number)：2005166881
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：
【課題】レーザ光出射端面に生じる析出物を抑制して、大気中で動作させてもレーザ光出力の低下を生じない窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 第1基板2上に第1導電型AlGaNクラッド層4、活性層5、第2導電型AlGaNクラッド層6と、ストライプ状の第2導電型AlGaNクラッド層7を挟持する絶縁層9と、が順次積層され、第2導電型AlGaNクラッド層7上には第2導電型GaNコンタクト層8が形成され、活性層5からレーザ光を出射する窒化物半導体レーザ素子1において、レーザ光の出射側における第1基板2乃至第2導電型GaNコンタクト層8の両端面にTiO2からなる保護層13が形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1基板上に第1導電型AlGaNクラッド層、活性層、第1の第2導電型AlGaNクラッド層と、ストライプ状の第2の第2導電型AlGaNクラッド層を挟持する絶縁層と、が順次積層され、更に前記第2の第2導電型AlGaNクラッド層上には、第2導電型GaNコンタクト層が形成されてなり、前記活性層からレーザ光を出射する窒化物半導体レーザ素子において、 前記レーザ光の出射側における前記第1基板乃至前記第2導電型GaNコンタクト層の両端面にTiO2からなる保護層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S5/343 ,  H01S5/223
FI (2)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/223
F-Term (10)：
5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA84 ,  5F073BA04 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB20 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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