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J-GLOBAL ID：200903014648577520
炭化珪素半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995157976
Publication number (International publication number)：1996070124
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 第1に溝の内壁のダメージ層を除去することにより、MOS界面特性を改善し、スイッチング特性に優れまたオン抵抗の低い炭化珪素半導体装置を製造する。また第2に、溝底部のコーナー部の角を丸めることでゲート、ドレイン間耐圧を向上させることができ、サイドエッチングの少ない炭化珪素半導体装置の製造方法を得ること。【構成】 炭化珪素よりなる半導体基板表面に溝を形成し、この溝の内壁に存在するダメージ層を熱酸化して第1の熱酸化膜を形成する。そしてこの第1の熱酸化膜を除去することで、ダメージ層を除去する。そしてダメージ層を除去した後に溝の内壁に第2の熱酸化膜を形成するため、この第2の熱酸化膜は均一な膜となる。また、半導体基板の面方位を六方晶系の(0001)カーボン面または立方晶系の{111}カーボン面とすることによりサイドエッチングの少ない炭化珪素半導体装置を得る。
Claim (excerpt)：
炭化珪素よりなる半導体基板表面に、底面及び側面を有する溝をドライエッチングにより形成する溝形成工程と、該溝の前記底面及び前記側面に第1の熱酸化膜を形成する第1の酸化膜形成工程と、該第1の熱酸化膜をウエットエッチングにより取り除く酸化膜除去工程と、該酸化膜除去工程の後に前記溝の前記底面及び前記側面に第2の熱酸化膜を形成する第2の酸化膜形成工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 G
