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J-GLOBAL ID：200903014650459403

p型窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法

Inventor： 谷口 理 ,  喜嶋 悟
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000123131
Publication number (International publication number)：2001308017
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 p型不純物の活性化率を向上させ、素子特性に優れた半導体素子を作製することを可能にするp型窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 p型GaNよりなるp型ガイド層27,p型AlGaN混晶よりなるp型クラッド層28およびp型GaNよりなるp側コンタクト層29を形成する際、p型不純物を含むGaNあるいはAlGaN混晶を所定の成長温度で成長させたのち、成長温度よりも高い温度で加熱する。また、加熱したのち、冷却手段を用いて冷却する。これにより、ホール濃度および移動度が高くなり、抵抗率が低くなる。よって、p側コンタクト層29とp側電極30との間で良好なオーミック接触を得ることができる。また、隣接するp型半導体層同士の直列抵抗を低減することができる。その結果、得られる半導体レーザの動作電圧が低減する。

Claim (excerpt)：

3B族元素のうちの少なくとも1種と、5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)と、p型不純物とを含有する窒化物系III-V族化合物半導体を第1の温度で成長させる工程と、前記窒化物系III-V族化合物半導体を、第1の温度よりも高い第2の温度で加熱する工程とを含むことを特徴とするp型窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/324 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/324 C ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

F-Term (45)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077FE11 ,  4G077HA06 ,  5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29