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J-GLOBAL ID：200903014653511430

量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 伊地知 哲朗 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991214277
Publication number (International publication number)：1993037078
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流狭窄効果を保ちながら実効屈折率差を低減でき、且つ基本横モード発振が可能な量子井戸半導体レーザ素子、およびその製造方法を提供する。【構成】 InGaAsから成る量子井戸活性層11とGaAsから成る障壁層12とで構成された量子井戸構造4と、量子井戸構造4の上下に配置され、且つInGaPから成るクラッド層3,5,9と、量子井戸構造4上に設けられた電流狭窄層7,8とで形成された量子井戸半導体レーザ素子1において、電流狭窄層7,8がAlGaInPから成ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

InGaAsから成る量子井戸活性層とGaAsから成る障壁層とで構成された量子井戸構造と、該量子井戸構造の上下に配置され、且つInGaPから成るクラッド層と、前記量子井戸構造上に設けられた電流狭窄層とで形成された量子井戸半導体レーザ素子において、前記電流狭窄層がAlGaInPから成ることを特徴とする量子井戸半導体レーザ素子。