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J-GLOBAL ID:200903014655793735

半導体試験装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉谷 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992235258
Publication number (International publication number):1994061318
Application date: Aug. 10, 1992
Publication date: Mar. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体ウエハの電気的特定の試験を効率よく行う。【構成】 試験装置用半導体ウエハ21の下面には、試験対象となる半導体ウエハWの各回路素子の電極パッド13と同じ位置関係で、バンプ電極22が形成されている。半導体ウエハ21の上面には、切り換え回路25を介してバンプ電極22と接続される取り出し電極23と、切り換え回路25の制御電極24とが形成されている。電極23,24はポゴピン32を介してテスターと接続されている。半導体ウエハWの一括測定にあたっては、モータ41を駆動することにより、半導体ウエハ21を下降させて、バンプ電極22と電極パッド13とを電気的に接続させ、切り換え回路25を順次切り換えて、バンプ電極22と電極パッド13との間で電気信号の授受を行う。
Claim (excerpt):
半導体ウエハ上に形成された多数の回路素子の電気的特性を試験するための半導体試験装置であって、試験対象となる半導体ウエハとは別の試験装置用半導体ウエハと、試験対象となる半導体ウエハ上に形成された複数個の回路素子の各電極パッドと同じ位置関係で、前記試験装置用半導体ウエハの一方面に形成された一群のパンプ電極と、前記試験装置用半導体ウエハの他方面に形成され、前記各パンプ電極と電気的に接続している一群の取り出し電極と、前記各取り出し電極を電気特性測定器(テスター)に接続する接続機構と、を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  G01R 1/073
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平1-012542
  • 特開平4-209548
  • 特開平3-270041

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