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J-GLOBAL ID：200903014663600687

シリコン基板のドライエッチング方法および装置

Inventor： 奥野 昌樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992113273
Publication number (International publication number)：1993315301
Application date： May. 06, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板のドライエッチングに関し、エッチャントガスを循環使用することを目的とする。【構成】 塩化水素ガスを励起して塩素ラジカルと水素ラジカルとし、この塩素ラジカルをシリコン基板に供給してシリコン基板をエッチングする工程と、反応により生じた四塩化シリコンと水素ラジカルを高温下で還元反応させてシリコンと塩化水素にする工程と、この塩化水素ガスを還流して再びシリコン基板に供給する工程とを主体としてシリコン基板のドライエッチング方法を構成する。

Claim (excerpt)：

塩化水素ガス(2)を励起して塩素ラジカルと水素ラジカルとし、該塩素ラジカルをシリコン基板(5)に供給して該シリコン基板(5)をエッチングする工程と、反応により生じた四塩化シリコンと水素ラジカルを高温下で還元反応させてシリコンと塩化水素にする工程と、該塩化水素ガス(2)を還流して再びシリコン基板(5)に供給する工程と、を主体とすることを特徴とするシリコン基板のドライエッチング方法。