フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：千田稔 , 辻永和徳 , 橋本幸治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003054280
Publication number (International publication number)：2004038141
Application date： Feb. 28, 2003
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】300nm以下および200nm以下、たとえば193nmおよび157nmをはじめとする短波長イメージングに好適でSiONおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す新規フォトレジスト及びこの組成物をコーティングしたマイクロエレクトリックデバイス基体。【解決手段】酸窒化シリコン層,該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトリックデバイス基体であって,該フォトレジスト組成物がポリマーなど1以上のフォト酸発生化合物を含み,ポリマーが1以上の接着促進基を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸窒化シリコン層、該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がポリマーおよび1以上のフォト酸発生化合物を含み、ポリマーが1以上の接着促進基を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。

IPC (2)：

G03F7/039 , H01L21/027

FI (2)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (11)：

2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128516 Applicant：ジェイエスアール株式会社
ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-571312 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265052 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電子工業株式会社

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