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J-GLOBAL ID：200903014713722231

半導体装置及びそれを使った電力変換装置

Inventor： 森 睦宏 ,  内野 禎敬 ,  小林 秀男 ,  坂野 順一 ,  櫻井 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283388
Publication number (International publication number)：1998178174
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】高耐圧かつ低オン電圧でかつ作り易いIGBTを得る。【解決手段】コレクタ側からエミッタ側に向って少なくともp+n-pn+構造を有するIGBTにおいて、n- 層とp層の間にn- 層よりも高濃度のn層を形成する。【効果】n層がホールのバリアとなり、n- 層中にホールが蓄積されるためオン電圧が低減される。

Claim (excerpt)：

一対の主表面を有する半導体基体と、該基体内に位置する第1導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に位置する第2導電形の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域内に伸び、前記第2の半導体領域のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する複数個の第2導電形の第3の半導体領域と、該第3の半導体領域内に位置する第1の導電形の第4の半導体領域と、該第4の半導体領域内に位置する第2の導電形の第5の半導体領域と、前記第2,第3,第4及び第5の半導体領域の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、さらに該絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第4の半導体領域と第5の半導体領域に低抵抗接触したエミッタ電極と、前記第1の半導体領域に低抵抗接触したコレクタ電極とを有し、前記第3の半導体領域のシートキャリア濃度が1×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体装置。

FI (5)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-115873
  
• 特開昭61-150378
  
• 特開昭63-299279
  
• 特開平3-054868
  
• 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-140561   Applicant：富士電機株式会社