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J-GLOBAL ID：200903014715670042
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993265661
Publication number (International publication number)：1995106310
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 工程数を減少させて、選択比も向上させることができるドライエッチング方法を提供する。【構成】 光感光性樹脂をマスク材15として被エッチング材12をドライエッチングして微細加工を行なうドライエッチング方法において、例えば電極材にSiN等の窒化物を用いることによりドライエッチングを行いつつマスク材の表面に耐イオン衝撃性の高い耐イオン改質層17を形成する。これにより、従来方法において必要とされたシリル化処理等の前処理を不要にすることが可能となる。
Claim (excerpt)：
パターン形成されたレジスト膜等の光感光性樹脂をマスク材として被エッチング材をドライエッチングして微細加工を行なうドライエッチング方法において、前記マスク材の表面に耐イオン改質層を形成しつつ前記被エッチング材をドライエッチングすることにより微細加工を行なうように構成したことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, C23F 1/00 101
