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J-GLOBAL ID：200903014717858057

半導体装置における絶縁膜の製造方法

Inventor： 安西 賢二 ,  長沼 健
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297260
Publication number (International publication number)：1995176528
Application date： Nov. 02, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 リーク電流の少ない絶縁膜を提供する。【構成】 CVD法により膜厚5nm以下のSi3 N4 膜3を形成した後、このSi3 N4 膜3を熱酸化して全てSiO2 膜4に変える。

Claim (excerpt)：

下地の上にシリコン窒化膜を形成した後、このシリコン窒化膜を実質的に全て熱酸化してシリコン酸化膜に変えることを特徴とする半導体装置における絶縁膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J