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J-GLOBAL ID:200903014719279801

LEDアレイ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 塩入 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991215840
Publication number (International publication number):1993037027
Application date: Jul. 31, 1991
Publication date: Feb. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 LEDアレイへの高密度ボンディングを可能にする。【構成】 シリコン基板にエピタキシャル成長でGaAs層を形成してLEDアレイとし、GaAs層表面に電極を形成し、この電極をシリコン基板まで引き出して外部接続する。
Claim (excerpt):
GaAsとは異なる材質から成る異種基板上に、発光層のGaAs層をエピタキシャル成長させたLEDアレイにおいて、上記GaAs層の表面に電極層を形成し、かつ該電極層を前記異種基板上に引出し、ここで外部接続することを特徴とする、LEDアレイ。
IPC (6):
H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H04N 1/036 ,  H04N 1/04 101

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