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J-GLOBAL ID:200903014720978268

フラッシュメモリカードのメモリ消去方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 武田 元敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992132348
Publication number (International publication number):1993325577
Application date: May. 25, 1992
Publication date: Dec. 10, 1993
Summary:
【要約】【目的】 メモリ消去中断後の再消去に要する処理時間の短縮化や残留データの再生を可能にする。【構成】 複数のフラッシュメモリIC7a〜7hを有するフラッシュメモリカード1内における最終アドレスから数アドレスを消去エリア記録領域とし、この消去エリア記録領域に各フラッシュメモリICのメモリ消去ごとに順次消去完了情報を記録し、何等かの原因で消去処理の途中で中断が生じた後、再消去を行う時に前記消去完了情報を読み取ることで、未消去のフラッシュメモリICのみに対する消去処理を可能にする。
Claim (excerpt):
複数のフラッシュメモリ集積回路を有するフラッシュメモリカード内における最終アドレスから数アドレスを消去エリア記録領域とし、この消去エリア記録領域にフラッシュメモリ集積回路のメモリ消去ごとに、メモリ消去完了情報を記録することを特徴とするフラッシュメモリカードのメモリ消去方法。
IPC (3):
G11C 16/06 ,  G06F 12/06 515 ,  G11C 5/00 302

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