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J-GLOBAL ID：200903014730479898

誘電体膜および半導体装置

Inventor： 大谷 成元 ,  芦田 裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199716
Publication number (International publication number)：2002026001
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 BLT膜を使うことにより、Pbを含まない、また同時に大きな反転電荷量QSWを有し、強誘電体キャパシタ絶縁膜を提供する。【解決手段】 BLT膜を等粒状組織を有するように形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された、Laを含む層状Bi酸化物よりなる誘電体膜であって、前記誘電体膜は、前記層状Bi酸化物結晶の集合よりなり、前記層状Bi酸化物結晶は、前記誘電体膜中において等粒状組織を形成することを特徴とする誘電体膜。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 27/105

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  C23C 14/08 K ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C

F-Term (23)：

4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029CA05 ,  5F058AA07 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34