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J-GLOBAL ID：200903014734065818
量子デバイスおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992336157
Publication number (International publication number)：1994188432
Application date： Dec. 16, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 細線を容易に形成する。【構成】 Si酸化膜5上に形成された結晶性Si細線9、10を細線間絶縁膜11を介して上下に2段以上重ねる。
Claim (excerpt)：
絶縁膜上に形成された結晶性Si層からなる細線を細線間絶縁膜を介して上下に2段以上重ねた構造を有していることを特徴とする量子デバイス。
IPC (2)：
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