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J-GLOBAL ID：200903014734324252

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 和田 浩 ,  上條 健
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
Agent (2)： 清水 守 (外1名) ,  清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037307
Publication number (International publication number)：1995249555
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱歪みによる影響を低減し、プロセスの制御性を良くし、歩留まりの高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 異種半導体基板を直接接着させることにより作製される半導体装置において、異種半導体基板の内の一方のSi基板1上に形成される化合物半導体の多結晶層からなる歪吸収層2と、この歪吸収層2上に接合されるもう一方の半導体基板であるInP層5/GaInAsP層4が積層された化合物半導体多層基板6とを設ける。

Claim (excerpt)：

異種半導体基板を直接接着させることにより作製される半導体装置において、(a)前記異種半導体基板の内の一方の半導体基板上に形成される化合物半導体の多結晶層からなる歪吸収層と、(b)該歪吸収層上に接合されるもう一方の半導体基板である化合物半導体多層基板とを有する半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18