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J-GLOBAL ID：200903014741146424

分光エリプソメータを用いた極薄膜2層構造の解析方法

Inventor：
ナバトバーガバイン,ナタリア

About ナバトバーガバイン,ナタリア

, 
和才 容子

About 和才 容子


Applicant, Patent owner：
株式会社堀場製作所

About 株式会社堀場製作所


Agent (1)： 井ノ口 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002110710
Publication number (International publication number)：2003302334
Application date： Apr. 12, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 分光エリプソメータを用いて極薄膜2層構造を測定し解析する方法を提供する。【解決手段】 本発明方法は、スペクトル測定段階、解析第1,2,3段階を含んでいる。スペクトル測定段階は、計測対象の基板表面の極薄膜2層構造を、分光エリプソメータを用いて測定し、対象のデータを得る。解析第1段階第1ステップでは、前記対象のモデルをたて、第2ステップで前記複数モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行い、第3ステップでモデルの結果を決定する。解析第2段階第1ステップでは、解析第1段階で得られた結果を、新しいモデルの初期値として設定し、第2ステップ、第3ステップでExtended BLMCを行う。解析第3段階第1ステップでは解析第2段階で得られた結果を利用して最終的なフィッティングを行い、第2ステップでは前記フィッテイングで得られた結果の確認を行う。第3ステップではこれら結果の保存を行う。
Claim (excerpt)：
計測対象の基板表面の極薄膜2層構造を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,ΔE スペクトル測定段階と、極薄膜2層構造の基板の(N0,(n0,k0 ))および各薄膜の材料(Mat1,Mat2 )の考えられる複素屈折率(N1,(n1,k1 )),(N2,(n2,k2))、各層の膜厚(d1,d2 )を利用し、いくつかのモデルをたてる第1ステップ、前記各モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行う第2ステップ、および前記各モデルごとのフィッティングの結果、最低χ2 値をもつモデルまたは、あらかじめ設定した膜厚の最大、最小値の中に入っているχ2 の最も低いモデルの結果(d1(best),d2(best) )を決定する第3ステップから成る解析第1段階と、解析第1段階で得られた結果を、新しいモデルの初期値として設定する第1ステップ、前記設定された結果のいずれか一方の層の厚さ(d1(best) またはd2(best))を中心値として、そのまわりの複数点ごとに、もう一方の層(d2(best) またはd1(best) )においてBLMCを用いてフィッティングを行う第2ステップ、および、前記複数点で行ったBLMCの結果から最低χ2 値の値または、あらかじめ設定した膜厚、分散式パラメータ、入射角のそれぞれ最大、最小値の中に入っているχ2 の最も低いモデルを選択する第3ステップから成る解析第2段階と、解析第2段階で得られた結果を利用して最終的なフィッティングを行う第1ステップ、前記フィッティングで得られた結果の確認を行う第2ステップ、およびこの結果の保存を行う第3ステップから成る解析第3段階と、から構成された分光エリプソメータを用いた極薄膜2層構造の解析方法。
IPC (5)：
G01N 21/21 ,  G01B 11/06 ,  G01J 3/447 ,  G01J 4/04 ,  G01N 21/41
FI (5)：
G01N 21/21 Z ,  G01B 11/06 Z ,  G01J 3/447 ,  G01J 4/04 Z ,  G01N 21/41 Z
F-Term (52)：
2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB17 ,  2F065CC17 ,  2F065CC31 ,  2F065FF50 ,  2F065GG03 ,  2F065GG24 ,  2F065HH10 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065LL00 ,  2F065LL02 ,  2F065LL33 ,  2F065LL34 ,  2F065LL67 ,  2F065NN08 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ18 ,  2F065QQ41 ,  2G020AA03 ,  2G020AA04 ,  2G020AA05 ,  2G020BA02 ,  2G020BA18 ,  2G020CA15 ,  2G020CB04 ,  2G020CB32 ,  2G020CB42 ,  2G020CB43 ,  2G020CC01 ,  2G020CD03 ,  2G020CD12 ,  2G020CD36 ,  2G020CD37 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB08 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE12 ,  2G059FF06 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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