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J-GLOBAL ID：200903014745240700

磁気抵抗効果素子薄膜及びその製造方法

Inventor： 上條 敦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996105756
Publication number (International publication number)：1997293611
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スピンバルブ型磁気抵抗効果素子薄膜において10%を越える磁気抵抗変化率を示す磁気抵抗効果素子薄膜ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性層と非磁性スペーサー層の界面でのスピン依存散乱を大きくするために、飽和磁束密度が1.2テスラ以上、平均結晶粒径が30nm以下の微細結晶粒組織を有するFe基軟磁性層と、Cu、Agまたは微細結晶粒組織を有するCu基合金より選ばれた非磁性スペーサー層より構成され、さらに、磁性層/非磁性スペーサー層界面に、微細結晶粒組織を有するCo基磁性層を挿入した磁気抵抗効果素子薄膜であって、磁場中、-50°C以下の基板温度で成膜する工程と、磁場中で熱処理する工程を具備した磁気抵抗効果素子薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

磁性層が、Fe基の結晶質であって、その平均結晶粒径が30nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。

IPC (5)：

H01F 10/14 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (6)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 軟磁性材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-187209   Applicant：株式会社東芝
• 磁性体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-286938   Applicant：松下電器産業株式会社