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J-GLOBAL ID：200903014748495165

有機半導体素子とその製造方法、およびそれを用いた表示装置

Inventor： 荒谷 康太郎 ,  荒谷 介和 ,  冨岡 安
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003052238
Publication number (International publication number)：2004260121
Application date： Feb. 28, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】基板,ゲート電極,ゲート絶縁膜,有機半導体層,ソース電極,ドレイン電極からなる有機半導体素子において、高移動度とオフ電流低減を両立する。【解決手段】基板,ゲート電極,ゲート絶縁膜,有機半導体層,ソース電極,ドレイン電極からなる有機半導体素子において、有機半導体層に液晶性物質を用い、液晶の配向制御を行う。【効果】本発明によれば、従来のトレードオフの関係にあった高移動度とオフ電流低減の関係を解消することができる。また、有機半導体素子の素子間のバラツキが大きい欠点、並びに、塗布作製による移動度の低減も回避することが可能となる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板,ゲート電極,ゲート絶縁膜,有機半導体層,ソース電極,ドレイン電極からなる有機半導体素子において、有機半導体層の上層領域から下層領域の方向に移動度が異なり、ゲート絶縁膜近傍の有機半導体層領域の移動度が最も大きいことを特徴とする有機半導体素子。

IPC (4)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5)：

H01L29/78 618E ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (39)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092MA04 ,  2H092MA10 ,  2H092MA37 ,  2H092NA22 ,  2H092PA02 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23