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J-GLOBAL ID：200903014758466511

半導体チップのための埋め込み型熱導体

Inventor：
ラジブ・バサント・ジョシ

About ラジブ・バサント・ジョシ

, 
ウィリアム・ロバート・レオー

About ウィリアム・ロバート・レオー


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999005031
Publication number (International publication number)：1999289052
Application date： Jan. 12, 1999
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体チップ内に熱導体を集積化することにより、チップ全体に渡り熱をより均等に分散し、チップ内のホット領域から熱を逃がし、熱をチップの外部に伝導すること。【解決手段】 半導体チップ構造が、基板と、半導体チップ構造内に埋め込まれ、電気的絶縁を提供する少なくとも1つの熱導体と、少なくとも1つの熱導体に隣接して、構造内に形成される複数の素子とを含み、動作の間に素子内で生成された熱が、少なくとも1つの熱導体を通じて伝達され、素子の動作温度を低減する。この構造は特に、絶縁体上シリコン(SOI)素子において有用である。
Claim (excerpt)：
半導体チップ構造において、基板と、前記構造内に埋め込まれ、電気的絶縁を提供する少なくとも1つの熱導体と、前記少なくとも1つの熱導体に隣接して、前記構造内に形成される複数の素子とを含み、動作の間に前記素子内で生成された熱が、前記少なくとも1つの熱導体を通じて伝達され、前記素子の動作温度を低減する、半導体チップ構造。
IPC (4)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/36 ,  H01L 27/12
FI (3)：
H01L 27/04 Z ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 23/36 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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