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J-GLOBAL ID：200903014759207234
半導体装置のストレス測定方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996188857
Publication number (International publication number)：1998019693
Application date： Jun. 27, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板上に形成された半導体装置の微小測定領域のストレス量を、高い分解能で測定することができる測定方法を提供する。【解決手段】 フォトルミネッセンス法を用いて、半導体の被測定部の禁制帯幅に相当するエネルギー値あるいは波長を測定し、その測定値と本来半導体が有する固有の禁制帯幅に相当するエネルギー値あるいは波長とを比較し、そのシフトする傾向から半導体に加わるストレスが、伸張あるいは収縮のいずれであるかを、またシフト量からそのストレス量を測定する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された半導体装置の被測定部に、前記半導体固有の禁制帯幅より大きい光子エネルギーを有する光を照射し、該光によって励起された電子状態からもとの基底状態に戻るとき前記半導体から放射される発光スペクトルの前記半導体の禁制帯幅に相当する値を測定し、該測定された値と前記半導体固有の禁制帯幅に相当する発光スペクトルの値とを比較することにより、前記被測定部に内在する圧縮あるいは伸張のストレス量を測定することを特徴とする半導体装置のストレス測定方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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