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J-GLOBAL ID：200903014766508754
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995110887
Publication number (International publication number)：1996306958
Application date： May. 09, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 下地層が導電性およびへき開性を有し、かつGaN、AlNもしくはInNまたはこれらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装置を提供することである。【構成】 Alが添加されたp型6H-SiC基板10を用いる。p型6H-SiC基板10の{0001}面上に、p型GaN層21、p型AlGaNクラッド層22、n型InGaN発光層23、n型AlGaNクラッド層24およびn型GaN層25を順に含むGaN成長層20をエピタキシャル成長させる。
Claim (excerpt)：
炭素よりも大きな原子サイズを有する不純物元素が添加された炭化ケイ素からなる下地層上に、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物半導体からなる成長層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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