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J-GLOBAL ID：200903014768086423

ガスセンサ及びその製造方法

Inventor： ヒョン・ス・パク ,  ヒョン・ウ・シン ,  チョル・ハン・ゴン ,  ヒョン・ギ・ホン ,  ドン・ヒョン・ユン ,  ギュ・ゾン・リ ,  ソン・テ・キム
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995300512
Publication number (International publication number)：1996278274
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ヒータと電極との絶縁性を高めてガスセンサの信頼性を向上させることのできるガスセンサ及びその製造方法を提供すること。【構成】 本発明によるガスセンサは、支持膜にパターン溝を形成させ、その溝内にヒータを形成させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

背面の所定部分がエッチングされた半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、上部にパターン溝を有する支持膜と、前記パターン溝に形成されたヒータと、前記ヒータを覆って形成させた絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を覆って形成させた感知膜とを含んでなるガスセンサ。

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M