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J-GLOBAL ID：200903014777515965

低消費電力センサ

Inventor： ブライアンド,ダニック ,  ファン デル スホート,バルト ,  デゥ ローイェ,ニコラース エフ ,  スンドグレン,ハンス ,  ルンドストロム,インイェマル
Applicant, Patent owner： アプライドセンサー スウェーデン アーベー
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001501874
Publication number (International publication number)：2003501657
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Jan. 14, 2003
Summary：

【要約】本発明のMOSFETアレイガスセンサは、シリコンバルクマイクロマシニングを用いて製造される。誘電膜により懸架されたシリコンアイランドに、加熱抵抗器、温度センサとして用いられるダイオードおよび4つのガス感受性FETが配置されている。膜は、低い熱伝導率を有し、したがって、チップフレームからシリコンアイランド上の電子成分を熱的に分離する。この低熱質量デバイスにより、175°Cの動作温度で消費電力を80mWの値まで減少できる。この低消費電力MOSFETガスセンサアレイは、ポータブルガスセンサ器具および自動車における用途に適している。

Claim (excerpt)：

集積化学センサを有するマイクロ加熱板デバイスにおいて、 a) 支持基板、 b) 該支持基板に取り付けられ、該支持基板内のウェル上に延在する支持膜、 c) 前記基板から電気的および熱的に分離されるように該膜に取り付けられたアイランドであって、少なくとも一部が半導体材料からなるアイランド、 d) 該アイランド内に組み込まれた1つ以上の加熱要素、 e) 前記アイランド内に組み込まれた1つ以上の検出要素、 f) 前記アイランド内に組み込まれた1つ以上の活性マイクロエレクトロニクスデバイスであって、その一部が、その化学的活性層が周囲に露出される化学センサである活性マイクロエレクトロニクスデバイス、を含むことを特徴とするマイクロ加熱板デバイス。

IPC (2)：

G01N 27/00 ,  G01N 27/12

FI (2)：

G01N 27/00 J ,  G01N 27/12 A

F-Term (14)：

2G046AA01 ,  2G046BA09 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G060AA01 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060BA01 ,  2G060BA07 ,  2G060BD10 ,  2G060DA01 ,  2G060DA02 ,  2G060DA27 ,  2G060JA01