Pat

J-GLOBAL ID：200903014781152826

半導体用基板

Inventor： 菊池 紀實 ,  川村 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアルエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178112
Publication number (International publication number)：1993029507
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、熱伝導性に優れた放熱板を備え、クラックや反りの発生が少なく信頼性が高い半導体用基板を提供することにある。【構成】本発明に係る半導体用基板は、窒化アルミニウム焼結体で形成した多層基板1aと、この多層基板1aに配置した半導体素子3から発生した熱を伝達する放熱板2aとを備えた半導体用基板において、上記放熱板2aはモリブデン板7aの両面にそれぞれ銅板8a,8aを一体に接合した複合材9aで形成したことを特徴とする。またモリブデン板7aおよび各銅板8a,8aの厚さは0.03〜0.3mmの範囲内に設定するとよい。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム焼結体で形成した多層基板と、この多層基板に配置した半導体素子から発生した熱を伝達する放熱板とを備えた半導体用基板において、上記放熱板はモリブデン板の両面にそれぞれ銅板を一体に接合した複合材で形成したことを特徴とする半導体用基板。