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J-GLOBAL ID：200903014781853972

アッシング方法

Inventor： 曽田 栄一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001284373
Publication number (International publication number)：2003092287
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 フォトレジストをN2/H2プラズマを用いて除去する際に、層間絶縁膜の損傷を抑制する。【解決手段】 層間絶縁膜の露出部分に、N2/H2プラズマに耐え得る改質層をN2プラズマを用いて形成する(工程1)。続いて、フォトレジストをN2/H2プラズマを用いて除去する(工程2)。

Claim (excerpt)：

一部が露出した層間絶縁膜の上に形成されたフォトレジストを窒素と水素との混合ガスのプラズマを用いて除去するアッシング方法において、予め、前記層間絶縁膜の露出部分に、前記混合ガスのプラズマに耐え得る改質層を窒素ガスのプラズマを用いて形成しておく、ことを特徴とするアッシング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (4)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/30 572 A

F-Term (35)：

2H096AA25 ,  2H096LA08 ,  2H096LA30 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EA07 ,  5F004EA14 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-356377   Applicant：キヤノン株式会社
• アッシング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013471   Applicant：ソニー株式会社
• 基板を有する半導体ウェーハからレジストを除去する方法及びレジスト除去装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-115905   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド