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J-GLOBAL ID:200903014808026097
レーザ光発生装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993278468
Publication number (International publication number):1995131100
Application date: Nov. 08, 1993
Publication date: May. 19, 1995
Summary:
【要約】【構成】 レーザ共振器13を構成する一対の反射鏡14、18の間に、基本波レーザ光を発生するレーザ媒質(Nd:YVO4 )16、ブリュースター板15、タイプIIの位相整合をとり基本波レーザ光の第2高調波を発生する非線形光学結晶素子(KTP)17及び非線形光学結晶素子17の複屈折による位相遅延量の温度特性を打ち消す所定の温度特性を有する複屈折性結晶素子19(YVO4)を配置する。非線形光学結晶素子17の結晶のc軸と複屈折性結晶素子19の結晶のc軸とは互いに直交させる。【効果】 非線形光学結晶素子17の複屈折の温度変化の影響を除去し、広い温度範囲にわたって安定な縦単一モード発振が得られる。
Claim (excerpt):
励起光源素子と、この励起光源素子からの励起光によって励起されるレーザ媒質と、このレーザ媒質の前後に配置され上記レーザ媒質より発生された基本波レーザ光を反射してレーザ共振器を構成する一対の反射手段と、このレーザ共振器内に配設されタイプIIの位相整合をとる非線形光学結晶素子と、上記レーザ共振器内に配設され上記非線形光学結晶素子の複屈折による位相遅延量の温度特性を打ち消す所定の温度依存性を有する複屈折性結晶素子とを有して成ることを特徴とするレーザ光発生装置。
IPC (5):
H01S 3/109
, G02B 27/28
, G02F 1/37
, H01S 3/094
, H01S 3/136
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体レーザ励起固体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-088569
Applicant:松下電子工業株式会社
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特開平1-220879
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特開昭61-087138
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