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J-GLOBAL ID：200903014812632511

面内に優先配向を有する薄膜の作成方法

Inventor： 亀井 雅之
Applicant, Patent owner： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225679
Publication number (International publication number)：1995078527
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【構成】薄膜を形成する基体6近傍に、プラズマ密度が109 /cm3 以上の高密度プラズマ9を、かつ/または5gauss以上の磁場を形成する。【効果】非晶質、あるいは多結晶の基体6上に面内に優先配向を有する薄膜、特にITO薄膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

プラズマ密度が109 /cm3 以上の高密度プラズマを、薄膜を形成する基体近傍に形成し、薄膜となる粒子のイオン化率を高めて成膜を行うことを特徴とする面内に優先配向を有する薄膜の作成方法。

IPC (3)：

H01B 13/00 503 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/32