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J-GLOBAL ID：200903014815448592
トレンチ素子分離方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334150
Publication number (International publication number)：1998189708
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 全製造工程数が削減されたトレンチ素子分離方法を提供する。【解決手段】 フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使い素子分離の為のトレンチを形成するので、パッド酸化膜形成、シリコン窒化膜形成、窒化膜パタニング及び除去工程段階を省略できる。また素子分離膜59、を形成した後、シリコン基板51または素子分離膜59の表面を選択的に蝕刻して段差を形成するのでゲート電極形成の様な後続工程の為のアラインキー形成段階を縮められる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にパタニングされた物質層を形成する段階と、前記パタニングされた物質層を蝕刻マスクとして使い、前記基板を所定深さで蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記パタニングされた物質層を取り除く段階と、前記トレンチを絶縁層で埋め込む段階と、絶縁層で埋め込まれたトレンチの形成された前記結果物に対して前記基板が露出されるまで平坦化しトレンチ素子分離膜を完成する段階とを備えることを特徴とするトレンチ素子分離方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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