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J-GLOBAL ID:200903014822845629

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西田 新
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994097381
Publication number (International publication number):1995099270
Application date: May. 11, 1994
Publication date: Apr. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 TCTテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 プラスチックパッケージにより半導体素子を封止してなる半導体装置において、上記プラスチックパッケージ1の表面、すなわち、正面1Aおよび背面1Bが金属箔2により被覆されている。
Claim (excerpt):
プラスチックパッケージにより半導体素子を封止してなる半導体装置において、上記プラスチックパッケージの表面が金属箔により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

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