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J-GLOBAL ID:200903014829843354

液晶表示装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大胡 典夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994018213
Publication number (International publication number):1995225400
Application date: Feb. 15, 1994
Publication date: Aug. 22, 1995
Summary:
【要約】【構成】 2個の非線形抵抗素子からなる非線形抵抗素子部が第1導体を共通導体とする第1導体/非線形抵抗体/第2導体の積層構造からなる液晶表示装置の製造方法において、非線形抵抗素子部を、第1導体19を形成し、この第1導体の表面部に第1導体の酸化膜からなる非線形抵抗体20を形成し、この非線形抵抗体上に2個の非線形抵抗素子の第2導体21a,21b を形成し、この第2導体形成後、液晶層画素部分の最大静電容量と非線形抵抗素子の静電容量との比Xと熱処理温度Y(°C)が、Y≧8.2×X+45の関係を満足する温度で熱処理するようにした。【効果】 焼付きの原因である非線形抵抗素子の電流-電圧特性の非対称性をなくし、高画質の表示が得られる液晶表示装置とすることができる。
Claim (excerpt):
液晶を挟んで対向する一対の基板のうち、一方の基板の対向面に配線部、液晶駆動用透明電極および2個の非線形抵抗素子からなる非線形抵抗素子部が形成され、上記各非線形抵抗素子が第1導体を共通導体とする第1導体/第1導体の酸化膜からなる非線形抵抗体/第2導体の積層構造に形成され、一方の非線形抵抗素子の第2導体が上記配線部に接続され、他方の非線形抵抗素子の第2導体が上記液晶駆動用透明電極に接続されてなる液晶表示装置の製造方法において、上記非線形抵抗素子部を、上記一方の基板の対向面に上記第1導体を形成する工程と、この第1導体の表面部を酸化して第1導体の酸化膜からなる非線形抵抗体を形成する工程と、この非線形抵抗体上に上記2個の非線形抵抗素子の第2導体を形成する工程と、この第2導体形成後、液晶層画素部分の最大静電容量CLCと上記非線形抵抗素子の静電容量CMIM との比CLC/CMIM =Xと熱処理温度Y(°C)が、Y≧8.2×X+45の関係を満足する温度で熱処理する工程とにより形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (2):
G02F 1/136 510 ,  H01L 49/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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