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J-GLOBAL ID：200903014831200193

半導体装置の製造方法

Inventor： 柴田 義行 ,  中尾 一郎 ,  庭山 雅彦
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998032796
Publication number (International publication number)：1999233450
Application date： Feb. 16, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板内に形成したデバイスの電気的特性の基板面内のばらつきや歩留りの低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】イオン注入により半導体基板の所定の位置に不純物を導入する際に、基板面内の注入ビームの走査速度を変えながら行なうようにし、デバイス形成後の電気的特性のばらつきや各工程の管理項目のばらつきを打ち消している。

Claim (excerpt)：

イオン注入により半導体基板の所定の位置に不純物を導入する際に、基板面内の注入ビームの走査速度を変えながら行なうようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (3)：

H01L 21/265 603 B ,  H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 T