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J-GLOBAL ID：200903014832200669
SOI基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021333
Publication number (International publication number)：1999219914
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 シリコン基板に注入された酸素イオンによって形成されるSi基板中の酸素原子層の分布が浅く、不均一で、しかも注入速度が遅いという問題があった。【解決手段】 基板ホルダ7の上面に載置したSi基板9の周縁部を、その全周に渡って覆う筒状のマスク18を配置する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板にバイアス電圧を印加することにより酸素プラズマ中の酸素イオンを前記シリコン基板に向けて加速させ、前記酸素イオンを前記シリコン基板に注入し前記シリコン基板内に絶縁層を形成する方法において、前記シリコン基板の周縁部の少なくとも一部にマスクを施して前記酸素イオンの注入を行うことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/265 J
, H01L 27/12 E
