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J-GLOBAL ID：200903014845656556
薄膜半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043575
Publication number (International publication number)：1996213629
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 薄膜半導体装置の製造方法において、半導体薄膜にレーザービームを照射してその結晶化を行なう際、ビーム断面強度分布を制御して結晶粒径の均一化を図る。【構成】 先ず成膜工程を行ない、絶縁基板1上に半導体薄膜2を成膜する。次に照射工程を行ない、長尺形のビーム断面形状を有するレーザービーム3を照射して半導体薄膜2を結晶化する。この後加工工程を行ない、結晶化された半導体薄膜2を活性層にして薄膜トランジスタを集積形成する。最大値と最小値の間で不規則に変動する断面強度分布を有するレーザービーム3を用いて半導体薄膜2を照射する際、断面強度分布の最大値が、結晶化された半導体薄膜2の粒径の急激なバラツキをもたらす特定の閾値を超えない様に制御している。あるいは、最大値と最小値の差が断面強度分布の平均値の1/10以下となる様に制御する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に半導体薄膜を成膜する成膜工程と、所定のビーム断面形状を有するエネルギービームを照射して該半導体薄膜を結晶化する照射工程と、該結晶化された半導体薄膜を活性層にして薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、最大値と最小値の間で不規則に変動する断面強度分布を有するエネルギービームを用いて該半導体薄膜を照射する際、該断面強度分布の最大値が、結晶化された半導体薄膜の粒径の急激なバラツキをもたらす特定の閾値を超えない様に制御する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
