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J-GLOBAL ID：200903014848734116

LPE法による磁性ガーネット単結晶の製造方法

Inventor： 河合 博貴 ,  梅澤 浩光
Applicant, Patent owner： 富士電気化学株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995234741
Publication number (International publication number)：1997059093
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 NdBi系の磁性ガーネット単結晶を、LPE法によって歩留りよく非磁性ガーネット基板上に育成する。【解決手段】 基板の厚さtが、200μm≦t≦450μmである非磁性ガーネット基板を使用し、その基板上にLPE法によってNdBi系の磁性ガーネット単結晶を育成する。例えば非磁性ガーネット基板としてGd3-y Ndy Sc2Ga3 O12(但し、1.0≦y≦1.4)を用い、育成する磁性ガーネット単結晶はNd3-x Bix Fe5 O12(但し、0.5≦x≦1.9)なる組成を有するものが望ましい。

Claim (excerpt)：

非磁性ガーネット基板上に、LPE法によってNdBi系の磁性ガーネット単結晶を育成する方法において、使用する前記基板の厚さtを、200μm≦t≦450μmとすることを特徴とするLPE法による磁性ガーネット単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/12 ,  G02F 1/09 501

FI (3)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/12 ,  G02F 1/09 501