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J-GLOBAL ID:200903014859594170

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梅田 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996221945
Publication number (International publication number):1998065220
Application date: Aug. 23, 1996
Publication date: Mar. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】 光の外部取り出し効率を改善するため、化合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くする安価な構造とその製造方法を得ること。【解決手段】 透光性封止材料による封止構造が2重構造であり、且つ、化合物半導体発光素子の屈折率N1と、化合物半導体発光素子に接する第1の透光性封止材料の屈折率N2と、更にその外側を封止する第2の透光性封止材料の屈折率N3との間に、N1>N2>N3>1の関係を有し、且つ、第1の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
化合物半導体発光素子を透光性封止材料により封止してなる半導体発光装置において、該透光性封止材料による封止構造が2重構造であり、且つ、該化合物半導体発光素子の屈折率N1と、化合物半導体発光素子に接する第1の透光性封止材料の屈折率N2と、更にその外側を封止する第2の透光性封止材料の屈折率N3との間に、N1>N2>N3>1の関係を有し、且つ、第1の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4):
H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4):
H01L 33/00 N ,  H01L 21/56 J ,  H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭63-244687
  • 特開昭62-022491
  • 特開昭63-129680
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